NLAS4717 模擬開關 高帶寬 雙SPDT
數(shù)據(jù):
數(shù)據(jù)表:模擬開關,高帶寬,雙SPDT
NLAS4717是采用亞微米硅柵CMOS技術制造的先進CMOS模擬開關。該器件是雙獨立單刀雙擲(SPDT)開關,在3.0V時具有兩個4.5的低R ON 。
該器件還具有保證Break Before Make開關,確保開關永不短路NLAS4717采用2.0 x 1.5 mm凸點裸片陣列,具有4 x 3排列的焊料凸點。焊料凸點的間距為0.5 mm,便于處理。
特性 |
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- 低待機電流-I CC = 1.0nA(最大值)@T A = 25°C
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電路圖、引腳圖和封裝圖