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數(shù)據(jù): CD54HC166, CD74HC166, CD54HCT166, CD74HCT166 數(shù)據(jù)表
?? HC166和?? HCT166 8位移位寄存器采用硅柵CMOS技術(shù)制造。它具有標(biāo)準(zhǔn)CMOS集成電路的低功耗,并且可以以與等效低功率肖特基器件相當(dāng)?shù)乃俣裙ぷ鳌?/p>
?? HCT166在功能上和引腳上兼容標(biāo)準(zhǔn)?? LS166。 /p>
166是一個(gè)8位移位寄存器,具有由低電平有效并聯(lián)使能(PE \)輸入選擇的完全同步串行或并行數(shù)據(jù)輸入。當(dāng)PE \在低電平到低電平時(shí)鐘轉(zhuǎn)換之前的一個(gè)設(shè)置時(shí)間為低電平時(shí),并行數(shù)據(jù)輸入寄存器。當(dāng)PE \為高電平時(shí),數(shù)據(jù)從串行數(shù)據(jù)輸入(DS)輸入內(nèi)部位位置Q0,其余位按每個(gè)正向時(shí)鐘向右移位(Q0→Q1→Q2等)過渡。為了與串行轉(zhuǎn)換器并行擴(kuò)展寄存器,Q7輸出連接到后級的DS輸入。
時(shí)鐘輸入是門控OR結(jié)構(gòu),允許一個(gè)輸入用作有效低時(shí)鐘使能(CE \)輸入。 CP和CE \輸入的引腳分配是任意的,可以反轉(zhuǎn)以方便布局。 CE \輸入的低電平到高電平的轉(zhuǎn)換只能在CP為高電平時(shí)才能進(jìn)行預(yù)測操作。
主復(fù)位(MR \)輸入的低電平會覆蓋所有其他輸入并清除寄存器異步,強(qiáng)制所有位位置為低電平狀態(tài)。
從Harris Semiconductor獲得的數(shù)據(jù)表
? |
---|
Technology Family |
VCC (Min) (V) |
VCC (Max) (V) |
Bits (#) |
F @ Nom Voltage (Max) (Mhz) |
ICC @ Nom Voltage (Max) (mA) |
tpd @ Nom Voltage (Max) (ns) |
Input Type |
3-State Output |
IOL (Max) (mA) |
Output Type |
Rating |
Operating Temperature Range (C) |
Package Group |
Package Size: mm2:W x L (PKG) |
? |
CD54HCT166 | CD74HCT166 |
---|---|
HCT ? ? | HCT ? ? |
4.5 ? ? | 4.5 ? ? |
5.5 ? ? | 5.5 ? ? |
8 ? ? | 8 ? ? |
25 ? ? | 25 ? ? |
0.08 ? ? | 0.08 ? ? |
50 ? ? | 50 ? ? |
TTL ? ? | TTL ? ? |
No ? ? | No ? ? |
4 ? ? | 4 ? ? |
CMOS ? ? | CMOS ? ? |
Military ? ? | Catalog ? ? |
-55 to 125 ? ? | -55 to 125 ? ? |
CDIP ? ? | PDIP SOIC ? ? |
See datasheet (CDIP) ? ? | See datasheet (PDIP) 16SOIC: 59 mm2: 6 x 9.9(SOIC) ? ? |
無樣片 |