優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)

• 最大額定電源電壓：44 V
• 模擬信號(hào)范圍：V_SS至 V_DD
• 低導(dǎo)通電阻：< 70 Ω
• 低導(dǎo)通電阻差 ΔR_ON：9 Ω（最大值）
• 低導(dǎo)通電阻匹配 R_ON ：3 Ω（最大值）

• 低功耗
• 快速開(kāi)關(guān)時(shí)間
  接通時(shí)間t_on < 110 ns
  斷開(kāi)時(shí)間t_off < 60 ns
• 低泄漏電流：3 nA（最大值）
• 低電荷注入：6 pC（最大值）
• 先開(kāi)后合式開(kāi)關(guān)動(dòng)作
• 防閂鎖“A”級(jí)選項(xiàng)

產(chǎn)品詳情

ADG444是一款單芯片CMOS器件，內(nèi)置四個(gè)獨(dú)立可選的開(kāi)關(guān)。它采用增強(qiáng)型LC²MOS 工藝設(shè)計(jì)，具有低功耗、高開(kāi)關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻特性。

ADG444開(kāi)關(guān)的接通條件是相關(guān)的控制輸入為邏輯低電平。接通時(shí)，各開(kāi)關(guān)在兩個(gè)方向的導(dǎo)電性能相同，輸入信號(hào)范圍可擴(kuò)展至電源電壓范圍。所有開(kāi)關(guān)均為先開(kāi)后合式，適合多路復(fù)用器應(yīng)用。設(shè)計(jì)本身具有低電荷注入特性，當(dāng)切換數(shù)字輸入時(shí)，可實(shí)現(xiàn)最小的瞬變。

方框圖