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ADR431 超低噪聲XFET基準電壓源,具有吸電流和源電流能力

數據:

優勢和特點

  • 低噪聲(0.1 Hz至10.0 Hz):3.5 μV p-p(2.5 V輸出)
  • 無需外部電容
  • 低溫度系數
    • A級:10 ppm/°C(最大值)
    • B級:3 ppm/°C(最大值)
  • 負載調整率:15 ppm/mA
  • 電壓調整率:20 ppm/V
  • 寬工作溫度范圍:4.5 V至18 V
  • 欲了解更多特性,請參考數據手冊
ADR431-EP支持防務和航空航天應用(AQEC標準)
  • 下載ADR431-EP/ADR434-EP/ADR435-EP數據手冊(pdf)
  • 軍用溫度范圍(?55℃至+125℃)
  • 受控制造基線
  • 唯一封裝/測試廠
  • 唯一制造廠
  • 增強型產品變更通知
  • 認證數據可應要求提供
  • V62/11602 DSCC圖紙號

產品詳情

ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435是XFET?系列基準電壓源,具有低噪聲、高精度和低溫度漂移性能。利用ADI公司的溫度漂移曲率校正技術和外加離子注入場效應管(XFET)技術,可以使ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435電壓隨溫度變化的非線性度降至最小。

與嵌入式齊納基準電壓源相比,XFET基準電壓源能以更低的電流(800 μA)和更小的電源電壓裕量(2 V)工作。嵌入式齊納基準電壓源需要5 V以上的裕量才能工作。ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435 XFET基準電壓源是唯一適合5 V系統的低噪聲解決方案。

ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435系列的源電流輸出最高達30 mA,最大吸電流能力為-20 mA。它還具有調整引腳,可以在±0.5%范圍內調整輸出電壓,而性能則不受影響。

ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435提供8引腳MSOP和8引腳窄體SOIC兩種封裝。所有型號產品的額定溫度范圍均為?40°C至+125°C擴展工業溫度范圍。


應用

  • 精密數據采集系統
  • 高分辨率數據轉換器
  • 醫療儀器
  • 工業過程控制系統
  • 光學控制電路
  • 精密儀器

方框圖





技術文檔

數據手冊(1)
元器件購買 ADR431 相關庫存

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