ADR434 超低噪聲、4.096V XFET?基準電壓源，具有吸電流和源電流能力

數據：

優勢和特點

低噪聲（0.1 Hz至10.0 Hz）： 3.5 μV p-p（2.5 V輸出）
無需外部電容
低溫度系數
A級： 10 ppm/℃（最大值）
B級： 3 ppm/℃（最大值）
負載調整率： 15 ppm/mA
線性調整率： 20 ppm/V
欲了解更多特性，請參考數據手冊

ADR434-EP支持防務和航空航天應用（AQEC標準）

下載 ADR434-EP數據手冊 (pdf)
軍用溫度范圍（?55 ℃至+125 ℃）
受控制造基線
唯一封裝/測試廠
唯一制造廠
增強型產品變更通知
認證數據可應要求提供

產品詳情

ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435是XFET^?系列基準電壓源，具有低噪聲、高精度和低溫度漂移性能。利用ADI公司的溫度漂移曲率校正技術和外加離子注入場效應管(XFET)技術，可以使ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435電壓隨溫度變化的非線性度降至最小。

與嵌入式齊納基準電壓源相比，XFET基準電壓源能以更低的電流(800 μA)和更小的電源電壓裕量(2 V)工作。嵌入式齊納基準電壓源需要5 V以上的裕量才能工作。ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435 XFET基準電壓源是唯一適合5 V系統的低噪聲解決方案。

ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435系列的源電流輸出最高達30 mA，最大吸電流能力為-20 mA。它還具有調整引腳，可以在±0.5%范圍內調整輸出電壓，而性能則不受影響。

ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435提供8引腳MSOP和8引腳窄體SOIC兩種封裝。所有型號產品的額定溫度范圍均為?40°C至+125°C擴展工業溫度范圍。