Fairchild新型場(chǎng)截止第三代 IGBT采用創(chuàng)新型的場(chǎng)截止IGBT技術(shù),可以提供優(yōu)越的導(dǎo)通和開關(guān)性能??,并且易于并聯(lián)運(yùn)行。該設(shè)備非常適合諧振或軟開關(guān)應(yīng)用,例如感應(yīng)加熱,微波爐等。
特性 |
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- 正溫度系數(shù),易于并聯(lián)運(yùn)行
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- 低飽和電壓:V CE(sat) = 1.45 V(典型值)@ I C = 40 A
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- 部件100%經(jīng)過(guò)I LM (1)檢測(cè)
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電路圖、引腳圖和封裝圖