飛兆半導(dǎo)體的場(chǎng)截止IGBT新系列采用新型場(chǎng)截止IGBT技術(shù),為車用充電器,逆變器及其他低導(dǎo)通和開關(guān)損耗至關(guān)重要的應(yīng)用提供了最佳性能。
特性 |
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- 正溫度系數(shù),易于并聯(lián)運(yùn)行
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- 低飽和電壓:VCE(sat)= 1.7 V(典型值)@IC = 40 A
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- 快速開關(guān)EOFF = 6.25 uJ / A
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- 符合AEC-Q101汽車行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)要求
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電路圖、引腳圖和封裝圖