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      FGH20N60SF_F085 600 V 20 A 1.9 V TO-247

      數據：

      飛兆半導體的場截止IGBT新系列采用新型場截止IGBT技術，為車用充電器，逆變器及其他低導通和開關損耗至關重要的應用提供了最佳性能。
      特性
      • 高電流能力
      • 低飽和電壓： VCE（sat）= 2.2 V @ IC = 20 A
      • 高輸入阻抗
      • 快速開關
      • 符合RoHS標準
      • 符合AEC-Q101汽車行業標準要求

      電路圖、引腳圖和封裝圖




      技術文檔

      數據手冊（1） 相關資料（2）
      元器件購買 FGH20N60SF_F085 相關庫存
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