FGH12040WD_F155 1200 V 40 A場(chǎng)截止溝槽IGBT
數(shù)據(jù):
數(shù)據(jù)表:1200 V,40 A場(chǎng)截止溝槽IGBT
飛兆半導(dǎo)體的場(chǎng)截止第2代 IGBT新系列采用的是新穎的電場(chǎng)截止型IGBT技術(shù),為低導(dǎo)通和開關(guān)損耗的焊接和PFC應(yīng)用提供最優(yōu)性能。
特性 |
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- 正溫度系數(shù),易于并聯(lián)運(yùn)行
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- 低飽和電壓:V CE(sat) = 2.3 V(典型值)@ I C = 40
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電路圖、引腳圖和封裝圖