此器件特別適合便攜式電子設備的緊湊型電源管理,輸入電壓為3 V至20 V,輸出電流為2.3 A.負載開關集成了一個小型N溝道功率MOSFET(Q1),在一個小型SuperSOT ?-6封裝中驅動一個大型P溝道功率MOSFET(Q2)。
特性 |
- V DROP = 0.2 V(V IN = 12 V,I L = 2.5 A,R (ON) =0.08Ω
時)V DROP = 0.2V @ V IN = 5V,I L = 1.6A.R (ON) =0.125Ω |
- 控制MOSFET(Q1)包含增強耐靜電放電(ESD)能力的齊納二極管保護(> 6 kV人體模型)
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- 高性能PowerTrench?技術可實現極低的導通電阻。
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- SuperSOT?6封裝設計(使用銅引線框架),可提供出色的熱和電氣能力。
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電路圖、引腳圖和封裝圖