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TP2104 MOSFET,P-CHANNEL增強型,-40V,6.0歐姆

數據:

產品信息

這種低閾值,增強型(常關)晶體管采用垂直DMOS結構和經過驗證的硅柵極制造工藝。這種組合產生的器件具有雙極晶體管的功率處理能力以及MOS器件固有的高輸入阻抗和正溫度系數。該器件具有所有MOS結構的特性,不受熱失控和熱致二次擊穿的影響。垂直DMOS FET非常適用于極低閾值電壓,高擊穿電壓,高輸入阻抗,低電壓的各種開關和放大應用需要輸入電容和快速切換速度。

高輸入阻抗和高增益

低功率驅動要求

&nbsp ; 易于并聯

低CISS和快速切換速度

卓越的熱穩定性

整體來源 - 二極管

免于二次故障

電路圖、引腳圖和封裝圖

技術文檔

數據手冊(1)
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