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CG2H30070F高電子遷移率晶體管 (HEMT)

型號： CG2H30070F

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 應用電路 0.5 – 3.0 GHz 應用電路
  • 功率 28 V 時 POUT 典型值為 85 W
  • 增益 10分貝功率增益
  • 排水效率 58% 排水效率
  • 匹配 內部匹配

--- 產(chǎn)品詳情 ---

CG2H30070F 是一種氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。它具有輸入匹配，可在 0.5-3.0 GHz 范圍內提供最佳的瞬時寬帶性能。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿電壓；更高的飽和電子漂移速度和更高的熱導率。與 Si 和 GaAs 晶體管相比，GaN HEMT 還提供更高的功率密度和更寬的帶寬。該器件采用 2 引線金屬/陶瓷法蘭封裝，可實現(xiàn)最佳電氣和熱性能。

CG2H30070F

 


特征
0.5 – 3.0 GHz 應用電路
28 V 時 POUT 典型值為 85 W
10分貝功率增益
58% 排水效率
內部匹配

 

應用
寬帶放大器
電子反措施
信號干擾
米爾康
雷達
數(shù)據(jù)鏈接

 

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