--- 產品參數 ---
- 典型功率附加效率 65%
- 典型 PSAT 40 W
- 操作電壓 50 伏
- 耐壓性 高擊穿電壓
- 操作頻率 高達 6 GHz
--- 產品詳情 ---
CGHV60040D 是一種氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優越的性能;包括更高的擊穿電壓;更高的飽和電子漂移速度;和更高的熱導率。與 Si 和 GaAs 晶體管相比,GaN HEMT 提供更高的功率密度和更寬的帶寬。
特征
65% 的典型功率附加效率
40 W 典型 PSAT
50 伏操作
高擊穿電壓
高達 6 GHz 的操作
應用
蜂窩基礎設施
A類;乙; 適用于OFDM的線性放大器;W-CDMA;長期演進;邊緣; CDMA波形
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