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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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CMPA0060025F1 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

型號： CMPA0060025F1

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 小信號增益 18 dB
  • 典型 PSAT 30 W
  • 工作電壓 高達 50 V
  • 擊穿電壓 高
  • 耐高溫 高溫操作

--- 產(chǎn)品詳情 ---

CMPA0060025 是一種基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿電壓；更高的飽和電子漂移速度和更高的熱導(dǎo)率。與 Si 和 GaAs 晶體管相比，GaN HEMT 還提供更高的功率密度和更寬的帶寬。這種 MMIC 可以在很小的空間內(nèi)實現(xiàn)非常寬的帶寬。

CMPA0060025F1

 


特征
18 dB 小信號增益
30 W 典型 PSAT
工作電壓高達 50 V
高擊穿電壓
高溫操作

應(yīng)用
超寬帶放大器
測試儀器
EMC 放大器驅(qū)動器


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