CMPA2060035F1 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Cree

型號： CMPA2060035F1

--- 產品參數 ---

小信號增益 28 dB
典型 PSAT 35 W
工作電壓高達32 V
耐壓性高擊穿電壓
耐高溫高溫操作

--- 產品詳情 ---

CMPA2060035 是一種基于氮化鎵 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優越的性能；包括更高的擊穿電壓；更高的飽和電子漂移速度和更高的熱導率。與 Si 和 GaAs 晶體管相比，GaN HEMT 還提供更高的功率密度和更寬的帶寬。該 MMIC 包含兩級無功匹配放大器設計方法，可在小尺寸內實現非常寬的帶寬。提供裸片和帶有銅鎢散熱器的旋入式封裝。

特征
28 dB 小信號增益
35 W 典型 PSAT
工作電壓高達 32 V
高擊穿電壓
高溫操作

應用
超寬帶驅動器
光纖驅動器
測試儀器
EMC 放大器驅動器

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