PN8200 電源X電容放電芯片-PN8200電路圖
型號(hào):
PN8200SEC-R1
PN8200 電源X電容放電芯片特征
■ 內(nèi)置1000V高雪崩能力的VDMOS
■ 無外部GND引腳,抗干擾能力強(qiáng)
■ AC電壓接入后阻止X電容放電
■ AC電壓斷電后通過放電電阻對(duì)X電容放電
■ X電容容值靈活調(diào)節(jié),優(yōu)化EMI設(shè)計(jì)
■ 芯片自偏置,無需外部偏置
■ 兩端子結(jié)構(gòu),滿足安規(guī)標(biāo)準(zhǔn)
■ 內(nèi)部限制最大放電電流
■ 通過IEC 62368-1:2014認(rèn)證