**型號：** SI4429DY-T1-E3-VB

**絲印：** VBA2311

**品牌：** VBsemi

**參數：**
- **溝道類型：** P—Channel
- **最大電壓：** -30V
- **最大電流：** -11A
- **導通電阻：** RDS(ON) = 10mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **閾值電壓：** Vth = -1.42V

**封裝：** SOP8

**詳細參數說明：**
SI4429DY-T1-E3-VB是一款P—Channel溝道功率MOSFET，具備卓越的性能參數。其最大電壓可達-30V，最大電流達到-11A。在VGS=10V和VGS=20V時，導通電阻（RDS(ON)）均為10mΩ，表現出優秀的導通特性。閾值電壓Vth為-1.42V，表明在低電壓條件下具有靈敏的觸發能力。

**應用簡介：**
SI4429DY-T1-E3-VB適用于多種領域，包括但不限于：
1. **電源管理模塊：** 具有低導通電阻和高電流能力，適用于設計高性能電源管理模塊。
2. **電動汽車控制器：** 在電動汽車電子系統中，可以應用于電機控制器模塊，提供可靠的功率開關。
3. **工業自動化：** 作為工業自動化設備的電源開關器件，可提供高效的電能轉換。

**舉例說明：**
SI4429DY-T1-E3-VB可以廣泛應用于直流穩壓器模塊，負責將輸入電壓穩定輸出到所需電平。其高電壓承受能力和低導通電阻使其成為直流穩壓器模塊中的理想選擇，確保穩定可靠的電源輸出。