產品型號：SI4833DY-T1-GE3-VB
品牌：VBsemi
絲印：VBA4338
參數：
- 通道類型：2個P溝道
- 額定電壓：-30V
- 額定電流：-7A
- 開啟電阻：RDS(ON)=35mΩ @VGS=10V，VGS=20V
- 閾值電壓：Vth=-1.5V
- 封裝：SOP8
詳細參數說明：
SI4833DY-T1-GE3-VB是一款具有2個P溝道的功率MOSFET，主要用于電路中的功率開關控制。其額定電壓為-30V，額定電流為-7A，具有低導通電阻的特點。在10V和20V的門源電壓下，其導通電阻為35mΩ，閾值電壓為-1.5V。封裝為SOP8，適合表面貼裝工藝。
應用簡介：
SI4833DY-T1-GE3-VB適用于各種電源管理和功率控制應用，包括但不限于以下領域：
1. DC-DC轉換器：可用于直流-直流（DC-DC）轉換器中，實現不同電壓之間的轉換，適用于移動設備和工業控制等領域。
2. 電源管理：可應用于移動設備、通信設備等電源管理電路中，提供穩定的電源輸出。
3. 電源逆變器：可用于直流-交流（DC-AC）逆變器中，實現直流電源向交流電源的轉換，適用于太陽能逆變器、UPS等領域。
舉例說明：
在DC-DC轉換器模塊中，SI4833DY-T1-GE3-VB可用于實現不同電壓之間的轉換，適用于各種移動設備和工業控制場合。同時，在直流-交流逆變器模塊中，SI4833DY-T1-GE3-VB可用于實現直流電源向交流電源的轉換，適用于太陽能逆變器、UPS等領域。
