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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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SQ2360EES-T1-GE3-VB一款N—Channel溝道SOT23的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: SQ2360EES-T1-GE3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 SOT23封裝
  • 溝道 N—Channel

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

**VBsemi SQ2360EES-T1-GE3-VB**

- **詳細參數說明:**
 - 封裝類型: SOT23
 - 溝道類型: N—Channel
 - 最大耐壓: 60V
 - 最大電流: 4A
 - 開態電阻(RDS(ON)):
   - 85mΩ @ VGS=10V
   - 85mΩ @ VGS=20V
 - 閾值電壓(Vth): 1~3V

- **應用簡介:**
 - 適用于高性能電源管理、開關電源和功率放大應用。
 - 具有較低的開態電阻,適用于對效率和功率密度要求較高的設計。

- **示例應用:**
 1. **電源適配器模塊:**
    - 用于電源適配器輸出端,提供高效的電源。

 2. **開關電源模塊:**
    - 適用于構建高效的開關電源、DC-DC變換器。

 3. **電機驅動模塊:**
    - 由于其N—Channel溝道和較低開態電阻,可用于電機驅動。

 4. **功率放大器模塊:**
    - 在功率放大電路中,可用于提供高效能耗的放大。

- **其他說明:**
 - 絲印: VB1695
 - 品牌: VBsemi

**注意:** 在實際應用中,請查看詳細的規格書,以確保器件符合您的電路設計要求。

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