*可編程溫補(bǔ)晶振
*可兼容多種電壓(1.8V-3.3V)
*超高頻率晶振
*CMOS輸出
*高穩(wěn)定性(±2.5ppm)，抗震性強(qiáng)
*低抖動：1.5 ps typ.
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
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Q MEMS石英溫補(bǔ)晶振YSO511PJ 100MHZ 3.3V -40~85℃ CMOS OJ2EI-XFM-100M2024-08-29 14:30
產(chǎn)品型號：YSO511PJ 標(biāo)稱頻率：10~250MHz 頻率誤差：±2.5ppm 工作溫度：-40~+85℃ 工作電壓：2.5/ 3.3V 封裝尺寸（mm）：3225/7050 -
Q MEMS石英溫補(bǔ)振蕩器YSO511PJ 33.33MHZ 3.3V -40~85℃ CMOS OJ2EI-XFM-33.33M2024-08-29 14:28
產(chǎn)品型號：YSO511PJ 標(biāo)稱頻率：10~250MHz 頻率誤差：±2.5ppm 工作溫度：-40~+85℃ 工作電壓：2.5/ 3.3V 封裝尺寸（mm）：3225/7050 -
Q MEMS石英溫補(bǔ)振蕩器YSO511PJ 40MHZ 3.3V -40~85℃ CMOS OJ2EI-XFM-40M2024-08-29 14:26
產(chǎn)品型號：YSO511PJ 標(biāo)稱頻率：10~250MHz 頻率誤差：±2.5ppm 工作溫度：-40~+85℃ 工作電壓：2.5/ 3.3V 封裝尺寸（mm）：3225/7050 -
Q MEMS石英溫補(bǔ)振蕩器YSO511PJ 80MHZ 3.3V -40~85℃ CMOS OJ2EI-XFM-80M2024-08-29 14:23
產(chǎn)品型號：YSO511PJ 標(biāo)稱頻率：10~250MHz 頻率誤差：±2.5ppm 工作溫度：-40~+85℃ 工作電壓：2.5/ 3.3V 封裝尺寸（mm）：3225/7050 -
Q MEMS石英溫補(bǔ)振蕩器YSO511PJ 10MHZ 3.3V -40~85℃ CMOS OJ2EI-XFM-10M2024-08-29 14:20
產(chǎn)品型號：YSO511PJ 標(biāo)稱頻率：10~250MHz 頻率誤差：±2.5ppm 工作溫度：-40~+85℃ 工作電壓：2.5/ 3.3V 封裝尺寸（mm）：3225/7050 -
表晶YSX146GA 32.768KHZ 6PF ±20PPM -40~85℃ X701532768KID4GI2024-08-29 14:17
產(chǎn)品型號：YSX146GA 標(biāo)稱頻率：32.768 kHz 頻率誤差：±10ppm ±20ppm 工作溫度：-40℃~+85℃ 封裝尺寸（mm）：7.0x1.5x1.4mm 品牌：YXC -
表晶YSX146GA 32.768KHZ 7PF ±20PPM -40~85℃ X701532768KJD4GI2024-08-29 14:14
產(chǎn)品型號：YSX146GA 標(biāo)稱頻率：32.768 kHz 頻率誤差：±10ppm ±20ppm 工作溫度：-40℃~+85℃ 封裝尺寸（mm）：7.0x1.5x1.4mm 品牌：YXC -
表晶YSX146GA 32.768KHZ 9PF ±20PPM -40~85℃ X701532768KLD4GI2024-08-28 10:06
產(chǎn)品型號：YSX146GA 標(biāo)稱頻率：32.768 kHz 頻率誤差：±10ppm ±20ppm 工作溫度：-40℃~+85℃ 封裝尺寸（mm）：7.0x1.5x1.4mm 品牌：YXC -
表晶YSX146GA 32.768KHZ 12.5PF ±10PPM -40~85℃ X701532768KGB4GI2024-08-28 09:59
產(chǎn)品型號：YSX146GA 標(biāo)稱頻率：32.768 kHz 頻率誤差：±10ppm ±20ppm 工作溫度：-40℃~+85℃ 封裝尺寸（mm）：7.0x1.5x1.4mm 品牌：YXC -
表晶YSX146GA 32.768KHZ 12.5PF ±20PPM -40~85℃ XKYGI-SUG-32.768K2024-08-28 09:56
產(chǎn)品型號：YSX146GA 標(biāo)稱頻率：32.768 kHz 頻率誤差：±10ppm ±20ppm 工作溫度：-40℃~+85℃ 封裝尺寸（mm：7.0x1.5x1.4mm 品牌：YXC
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兩個(gè)不同頻率晶振靠的近會怎樣2025-01-20 13:55
晶振的振蕩本質(zhì)上是一種機(jī)械振動（在壓電晶體層面）。當(dāng)兩個(gè)晶振靠得很近時(shí)，它們的機(jī)械振動可能會相互影響。一個(gè)晶振的振動可能會通過電路板或者外殼等介質(zhì)傳遞給另一個(gè)晶振，從而改變另一個(gè)晶振的振動特性。670瀏覽量 -
科普知識丨晶振的頻率和振幅、品質(zhì)因數(shù)之間的關(guān)系2025-01-16 16:27
晶振的頻率和振幅是兩個(gè)獨(dú)立的參數(shù)，它們之間沒有直接的固定關(guān)系。但在實(shí)際應(yīng)用中，它們會相互影響并共同決定晶振的性能和應(yīng)用場景。因此，在選擇晶振時(shí)，需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求來綜合考慮這兩個(gè)參數(shù)以及其他相關(guān)因素。774瀏覽量 -
晶振在電路中的作用2025-01-14 17:58
數(shù)字電路的同步基準(zhǔn)，保持頻率準(zhǔn)確性，協(xié)調(diào)不同模塊的工作，產(chǎn)生多種頻率信號，提供精確的時(shí)間基準(zhǔn)675瀏覽量 -
晶振在工業(yè)相機(jī)中的應(yīng)用2025-01-07 19:02
在工業(yè)相機(jī)的各個(gè)模塊中，晶體振蕩器（晶振）起到提供精確時(shí)鐘信號的作用，主要用來確保系統(tǒng)中的各個(gè)部分能夠同步運(yùn)作，保證信號的穩(wěn)定和正確處理。不同模塊對晶振的頻率、精度、溫度穩(wěn)定性等參數(shù)有不同的要求。1213瀏覽量 -
YXC知識科普 | 晶振外接2顆電容的3個(gè)好處2024-12-31 15:09
晶體元件的負(fù)載電容是指在電路中跨接晶體兩端的總的外界有效電容，即晶振要正常振蕩所需要的電容。一般外接電容，是為了使晶振兩端的等效電容等于或接近負(fù)載電容。要求高的場合還要考慮ic輸入端的對地電容。應(yīng)用時(shí)一般在給出負(fù)載電容值附近調(diào)整可以得到精確頻率。此電容的大小主要影響負(fù)載諧振頻率和等效負(fù)載諧振電阻。1037瀏覽量 -
可編程晶振的關(guān)鍵技術(shù)——鎖相環(huán)原理講解2024-12-30 14:33
揚(yáng)興科技的可編程晶振利用鎖相環(huán)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了核心參數(shù)的隨意編程定制。這意味著客戶可以根據(jù)具體需求，在1MHz~2100MHz的寬頻率范圍內(nèi)（精確至小數(shù)點(diǎn)后六位）選擇任意頻點(diǎn)進(jìn)行定制。245瀏覽量 -
24mhz無源晶振作用2024-12-26 16:22
24MHz 無源晶振為 CPU、GPU、內(nèi)存等組件提供統(tǒng)一的時(shí)鐘基準(zhǔn)，確保它們按照精確的節(jié)奏協(xié)同工作，使數(shù)據(jù)的傳輸、處理和存儲能夠有條不紊地進(jìn)行。940瀏覽量 -
晶振行業(yè)小型化趨勢：3225及更小尺寸晶體2024-12-20 16:21
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四腳晶振怎么區(qū)分有源無源2024-12-18 16:07
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32.768Khz在電路中的作用2024-12-16 16:40
32.768Khz頻率在電路設(shè)計(jì)中被廣泛采用，主要是因?yàn)槠涮厥獾臄?shù)學(xué)特性。這個(gè)頻率值經(jīng)過簡單的分頻處理，可以方便地得到各種常用的時(shí)間基準(zhǔn)。例如，通過合適的電路對其進(jìn)行15次二分頻，可以精確地產(chǎn)生1Hz的信號，這對于以秒為單位的計(jì)時(shí)功能實(shí)現(xiàn)非常關(guān)鍵。942瀏覽量
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