### 產品簡介
AM7480N-T1-PF-VB 是一款高壓單N溝道MOSFET，采用先進的溝槽技術制造，具備優異的導通特性和適中的電流承載能力。該器件封裝在DFN8(5X6)封裝中，適合對空間有一定要求的應用環境。AM7480N-T1-PF-VB能夠在高達100V的漏極-源極電壓（VDS）下穩定工作，是處理中高功率需求的理想選擇。

### 詳細參數說明
- **型號**: AM7480N-T1-PF-VB
- **封裝類型**: DFN8(5X6)
- **配置**: 單N溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 100V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 17mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 30A
- **技術類型**: 溝槽

### 應用領域和模塊舉例
AM7480N-T1-PF-VB MOSFET適用于多種高電壓和適中功率的電子應用，具體包括但不限于：

1. **電源轉換器和逆變器**：在高壓DC-DC轉換器、逆變器和開關電源中，AM7480N-T1-PF-VB可用于輸出穩定器和功率放大器，提供高效的能量轉換和電源管理。

2. **工業控制和汽車電子**：用于工業自動化控制系統中的電機驅動、電源管理和電池管理，以及汽車電子系統中的電動機控制、電源逆變和電池充放電管理。

3. **電源供應模塊**：在計算機服務器、通信設備和工作站等高性能電子設備的電源管理模塊中，確保穩定和高效的電力傳輸和控制。

4. **醫療設備**：在醫療成像設備、實驗室分析設備和醫療電子設備中，AM7480N-T1-PF-VB可用于高壓電源和電機驅動器，提供可靠的性能和長期穩定性。

通過以上舉例，AM7480N-T1-PF-VB MOSFET因其高壓能力、適中的電流承載能力和先進的溝槽技術，適用于多種對高效能、高穩定性和高功率密度要求的電子設備和系統中，為工程設計提供了重要的解決方案。