--- 產品參數 ---
- 封裝 TO252-4L
- 溝道 Common Drain-N+P
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
AMD533CE-T1-PF-VB是一款雙通道共源N+P溝道MOSFET,采用先進的溝槽技術設計,封裝形式為TO252-4L。該MOSFET具有廣泛的工作電壓范圍和適用于多種應用場合的特性。
### 詳細參數說明
- **封裝形式**:TO252-4L
- **配置**:共源N+P溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:±60V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.8V (N溝道), -1.7V (P溝道)
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- N溝道:33mΩ @ VGS=4.5V, 30mΩ @ VGS=10V
- P溝道:60mΩ @ VGS=4.5V, 50mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:
- N溝道:35A
- P溝道:-19A (負值表示漏極電流方向與通常方向相反)
- **技術**:溝槽技術
### 應用領域和模塊舉例
AMD533CE-T1-PF-VB MOSFET適用于多種高壓、高電流的應用,以下是其主要的應用領域和模塊示例:
1. **電源開關和電源管理**:
- 在電源開關和電源管理系統中,該雙通道MOSFET可以用于直流-直流轉換器、電池管理系統和電源模塊。其高漏極電流和穩定的電氣特性能夠提供可靠的功率開關和高效能源轉換。
2. **電動汽車充電樁**:
- 在電動汽車充電樁中,AMD533CE-T1-PF-VB可用于功率開關和電流控制。其廣泛的工作電壓范圍和低導通電阻能夠支持快速充電和高效能源管理。
3. **工業自動化和高壓電源模塊**:
- 在工業自動化設備和高壓電源模塊中,該MOSFET可用于電流控制、電機驅動和電源開關。其雙通道設計能夠靈活應對不同的功率需求,確保系統穩定性和效率。
4. **電力轉換器和逆變器**:
- 在電力電子領域,AMD533CE-T1-PF-VB可以用于電力轉換器和逆變器中,處理大電流和高頻率的功率轉換需求。其可靠的性能和高效能源轉換能力使其成為電力系統中的理想選擇。
通過以上例子可以看出,AMD533CE-T1-PF-VB MOSFET具有廣泛的應用潛力,能夠在多個關鍵領域中提供高性能的功率管理和控制解決方案。
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