### AP01L60H-H-VB 產(chǎn)品簡介

**型號：** AP01L60H-H-VB  
**封裝：** TO252  
**配置：** 單N溝道MOSFET  
**技術(shù)：** SJ_Multi-EPI

AP01L60H-H-VB 是一款單N溝道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技術(shù)，具有高電壓承受能力和穩(wěn)定的導(dǎo)通特性。其TO252封裝適合于低功率高壓應(yīng)用，尤其適用于需要高效能量轉(zhuǎn)換和可靠性的領(lǐng)域。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **漏極-源極電壓（VDS）：** 700V
- **柵極-源極電壓（VGS）：** ±30V
- **閾值電壓（Vth）：** 3.5V
- **導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：** 2400mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流（ID）：** 2A
- **技術(shù)：** SJ_Multi-EPI

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **LED驅(qū)動電源：** AP01L60H-H-VB 適用于LED驅(qū)動電源中的高壓開關(guān)模塊，能夠在小功率、高效率的驅(qū)動電源中提供穩(wěn)定的電能轉(zhuǎn)換和控制。

2. **電池管理系統(tǒng)：** 在電池管理系統(tǒng)中，該MOSFET可以作為高壓開關(guān)器件，幫助管理和控制電池的充放電過程，提高系統(tǒng)的可靠性和效率。

3. **小型電源適配器：** AP01L60H-H-VB 可用于小型電源適配器中的高壓開關(guān)，提供可靠的電能轉(zhuǎn)換和保護功能，確保適配器的穩(wěn)定輸出。

4. **電力監(jiān)測設(shè)備：** 適用于電力監(jiān)測設(shè)備中的高壓控制模塊，該MOSFET能夠在高壓環(huán)境下提供穩(wěn)定的開關(guān)操作，支持設(shè)備的精確監(jiān)測和控制。

5. **家庭電子設(shè)備：** 在一些家庭電子設(shè)備中，AP01L60H-H-VB可以用于高壓功率控制，如用于智能家居設(shè)備的電源管理模塊中，確保設(shè)備的高效運行和可靠性。

AP01L60H-H-VB MOSFET通過其可靠的高壓開關(guān)性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，成為各類電子設(shè)備和電源管理系統(tǒng)中的理想選擇，為設(shè)計和應(yīng)用提供了高效的解決方案。