### AP02N60I-VB 產品簡介
**型號：** AP02N60I-VB
**封裝：** TO220F
**配置：** 單N溝道MOSFET
**技術：** Plannar
AP02N60I-VB 是一款單N溝道MOSFET，采用Plannar技術，具有高達650V的漏極-源極電壓承受能力和穩定的電性能特征。
### 詳細參數說明
- **漏極-源極電壓（VDS）：** 650V
- **柵極-源極電壓（VGS）：** ±30V
- **閾值電壓（Vth）：** 3.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）：** 1700mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流（ID）：** 2A
- **技術：** Plannar
### 應用領域和模塊舉例
1. **電源適配器：** 在小型電源適配器中，AP02N60I-VB 可作為高壓開關器件，用于穩定的電能轉換和控制，確保設備的高效率和長壽命。
2. **電動工具：** 適用于電動工具中的電源管理和驅動模塊，能夠有效控制電機的高壓開關，提升電動工具的性能和可靠性。
3. **LED照明驅動：** 在LED照明系統中，AP02N60I-VB 可以作為功率開關器件，用于LED驅動電源的電流控制和保護，確保LED燈具的穩定運行。
4. **UPS系統：** 作為UPS系統中的關鍵功率開關器件，AP02N60I-VB 能夠在電網異常時提供可靠的電力備份和轉換，保護關鍵設備不受電力波動影響。
5. **工業自動化：** 在工業控制系統中，如PLC控制器和變頻器中的電力轉換模塊，AP02N60I-VB 提供穩定的功率控制，確保設備的可靠運行和安全性。
AP02N60I-VB MOSFET因其高壓承受能力和穩定的性能特征，適用于各種需要高效能量轉換和可靠性的電子設備和工業應用場合。
