### AP02N90H-HF-VB 產品簡介

**型號：** AP02N90H-HF-VB  
**封裝：** TO252  
**配置：** 單N溝道MOSFET  
**技術：** SJ_Multi-EPI

AP02N90H-HF-VB 是一款單N溝道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技術，具有高達900V的漏極-源極電壓承受能力和較低的導通電阻，適用于各種高壓應用場合。

### 詳細參數說明

- **漏極-源極電壓（VDS）：** 900V
- **柵極-源極電壓（VGS）：** ±30V
- **閾值電壓（Vth）：** 3.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）：** 2700mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流（ID）：** 2A
- **技術：** SJ_Multi-EPI

### 應用領域和模塊舉例

1. **高壓電源適配器：** 在高壓電源適配器中，AP02N90H-HF-VB 可作為高壓開關器件，用于穩定的電能轉換和控制，確保設備的高效和可靠運行。

2. **工業電源系統：** 適用于工業電源系統中的電源管理和控制模塊，能夠有效控制高壓電源的開關，提升系統的穩定性和可靠性。

3. **電動汽車充電樁：** 在電動汽車充電樁中，AP02N90H-HF-VB 可作為高壓開關器件，用于電能傳輸和轉換，確保充電樁的高效運行和安全性。

4. **太陽能逆變器：** 作為太陽能逆變器中的關鍵功率開關器件，AP02N90H-HF-VB 能夠在高壓條件下進行有效的電力轉換，提升太陽能系統的效率和可靠性。

5. **智能電網：** 在智能電網系統中，AP02N90H-HF-VB 可用于電力轉換和傳輸模塊，確保高壓電力的穩定傳輸和控制，提高電網的智能化水平和運行效率。

AP02N90H-HF-VB MOSFET因其高壓承受能力和低導通電阻，適用于各種需要高效能量轉換和可靠性的高壓應用場合，為各類工業和電力系統提供了穩定和高效的解決方案。