--- 產品參數 ---
- 封裝 TO220
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### AP02N90P-VB 產品簡介
AP02N90P-VB是一款單N溝道MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技術,封裝在TO220中。該器件設計用于高壓應用,具有較高的額定漏源電壓和適中的導通電阻,適合要求高電壓和中等電流的應用場合。
### 詳細參數說明
- **封裝類型**: TO220
- **配置**: 單N溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 900V
- **最大柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **柵閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 1500mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 5A
- **技術**: SJ_Multi-EPI
### 應用領域和模塊示例
1. **電源轉換器**:
- **應用場景**: 適用于需要高電壓但中等電流的DC-DC轉換器和AC-DC轉換器。
- **示例**: 工業電源系統中的高壓轉換器模塊。
2. **電動工具**:
- **應用場景**: 在需要高壓電源和適中電流驅動的電動工具中,如高壓電動鉆等。
- **示例**: 電動工具的高壓電源控制電路。
3. **太陽能逆變器**:
- **應用場景**: 用于太陽能電池板系統的逆變器模塊,要求高電壓和中等電流輸出。
- **示例**: 太陽能逆變器的高壓轉換電路。
4. **醫療設備**:
- **應用場景**: 在醫療設備中,需要高電壓穩定性和中等電流驅動能力的控制電路。
- **示例**: 醫療成像設備中的高壓電源模塊。
AP02N90P-VB適用于需要高電壓和中等電流驅動的多種應用場合,包括電源轉換器、電動工具、太陽能逆變器和醫療設備等。其SJ_Multi-EPI技術確保了在高壓環境下的穩定性和可靠性。
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