--- 產品參數 ---
- 封裝 TO263
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 一、產品簡介
**AP04N70BS-H-HF-VB** 是一款單N溝道功率MOSFET,采用TO263封裝,適用于中高壓應用。采用SJ_Multi-EPI技術制造,具有良好的電性能和穩定性,適合在需要高電壓承受能力和中等導通電阻的應用中使用。
### 二、詳細參數說明
- **封裝類型**:TO263
- **配置**:單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**:700V
- **柵源電壓(VGS)**:±30V
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- 750mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID)**:7A
- **技術類型**:SJ_Multi-EPI
### 三、應用領域和模塊舉例
**AP04N70BS-H-HF-VB** MOSFET適用于以下各種領域和模塊:
1. **電源轉換器**:在需要處理高電壓和中等功率的電源轉換器中,如開關電源供應器、DC-DC變換器等應用中,AP04N70BS-H-HF-VB可作為關鍵的功率開關器件,確保電能的有效轉換和供應。
2. **工業控制**:用于工業自動化控制系統中的電源管理和驅動器,如電機驅動、運動控制系統等,能夠處理大功率和高電壓的需求,確保設備的穩定運行和響應速度。
3. **電動汽車充電樁**:作為電動汽車充電樁中的功率開關器件,AP04N70BS-H-HF-VB能夠處理高電壓和電流,實現電能的快速充電和安全管理。
4. **再生能源**:在太陽能逆變器和風能轉換系統中,用于處理高電壓和變化的電力輸出,確保再生能源系統的高效穩定運行。
5. **電力傳輸設備**:用于高壓輸電線路中的電力開關和控制器件,能夠承受高電壓和大電流的沖擊,確保電力傳輸的可靠性和安全性。
**AP04N70BS-H-HF-VB**以其高電壓承受能力、低導通電阻和穩定的性能特征,適用于電源轉換、工業控制、電動汽車充電樁、再生能源和電力傳輸設備等多個領域,為各類功率應用提供可靠和高效的解決方案。
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