--- 產品參數 ---
- 封裝 TO3P
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
AP09N90W-VB 是一款高壓單 N-溝道 MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技術制造,封裝形式為TO3P。它具有極高的擊穿電壓和適中的導通電阻,適合于需要承受高電壓和大電流的應用場合。
### 詳細參數說明
- **封裝類型**:TO3P
- **配置**:單 N-溝道
- **擊穿電壓 (VDS)**:900V
- **柵極電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:750mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**:9A
- **技術**:SJ_Multi-EPI
### 應用領域及模塊示例
AP09N90W-VB MOSFET 可以在多種高壓應用中發揮作用,以下是幾個具體的應用示例:
1. **電源轉換器**:
- 在電網和太陽能逆變器中,AP09N90W-VB 可以用于高壓轉換和電能轉換管理,支持高效率的能量轉換和穩定的電源輸出。
2. **工業高壓電源**:
- 用于工業設備的高壓電源單元和電力管理系統,確保設備在高電壓環境下的穩定運行和長期可靠性。
3. **醫療設備**:
- 在醫療設備中的高壓電源和電動機控制中,AP09N90W-VB 可以提供安全和可靠的電流管理,確保設備的高效運行和性能。
4. **電動車充電器**:
- 適用于電動車充電設備中的功率開關和電池管理單元,支持高壓和高電流條件下的安全充電。
5. **高壓開關電源**:
- 在高壓開關電源和電源逆變器中,AP09N90W-VB 可以提供高效的電源開關和穩定的電壓調節,適用于工業自動化和電力設備。
總之,AP09N90W-VB 是一款適用于高壓高電流環境的 MOSFET,特別適合需要承受高電壓和大電流負載的各種電子系統和設備。
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