### AP11N50I-VB MOSFET 產品簡介
AP11N50I-VB 是一款高壓單 N-溝道 MOSFET，適用于需要處理高電壓的電子應用。其采用 TO220F 封裝，具備高電壓承載能力和優異的導通特性，適合于多種高壓電源和開關應用。
### 詳細參數說明
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單 N-溝道
- **VDS（漏極-源極電壓）**: 650V
- **VGS（柵極-源極電壓）**: ±30V
- **Vth（閾值電壓）**: 3.5V
- **RDS(ON) @ VGS=10V**: 680mΩ
- **ID（連續漏極電流）**: 12A
- **技術**: 平面（Plannar）
### 應用示例
**電源開關**: AP11N50I-VB 可以廣泛應用于高壓電源開關，如逆變器、開關電源和功率因數校正電路。其高電壓承載能力和低導通損耗使其在能量轉換效率和電源管理中表現優異。
**電動車充電器**: 在電動車充電器中，該 MOSFET 可以用于高壓直流-直流轉換器和充電管理單元。其能夠處理高電流和快速開關操作，確保電動車充電過程中的高效率和穩定性。
**工業高壓控制**: 在工業設備的高壓控制系統中，AP11N50I-VB 可以用于馬達控制、電動閥門和高壓電源單元。其穩定的性能和可靠的電氣特性適合于長時間運行和嚴苛環境下的應用。
**UPS（不間斷電源系統）**: 作為UPS系統中的關鍵組件，該 MOSFET 可以確保UPS在斷電時提供穩定的備用電源。其高可靠性和耐壓特性使其成為電力保障中不可或缺的部分。
**照明應用**: 在高壓LED照明系統中，AP11N50I-VB 可以用于LED驅動器和照明控制器，提供穩定的電源管理和長壽命的LED照明解決方案。
綜合其高電壓承載能力、優異的導通特性和廣泛的應用領域，AP11N50I-VB MOSFET 是一款適用于要求高性能和可靠性的高壓電子應用的理想選擇。
