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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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AP15P10GJ-VB一款Single-P溝道TO251的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: AP15P10GJ-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 TO251
  • 溝道 Single-P

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 1. 產品簡介

AP15P10GJ-VB 是一款單 P-溝道功率場效應管(Power MOSFET),采用Trench工藝制造。該器件適用于高性能功率開關和電源管理應用,具有-100V的漏極-源極電壓(VDS)額定值和最大-12A的漏極電流(ID)容量。

### 2. 參數說明

- **型號**: AP15P10GJ-VB
- **封裝**: TO251
- **通道類型**: 單 P-溝道
- **VDS (漏極-源極電壓)**: -100V
- **VGS (柵極-源極電壓)**: ±20V
- **Vth (閾值電壓)**: -2V
- **RDS(ON) (導通電阻)**:
 - 234mΩ @ VGS = 4.5V
 - 215mΩ @ VGS = 10V
- **ID (漏極電流)**: -12A
- **技術**: Trench

### 3. 應用示例

AP15P10GJ-VB 可適用于以下領域和模塊:

- **電源管理**: 由于其高導通電流和適中的漏極-源極電壓,適合用作高性能電源開關和電源管理系統中的關鍵部件。

- **電動工具**: 在電動工具和家用電器中,可用于電機驅動器和電源開關,以提供高效的電能轉換和電動工具的高性能驅動。

- **電動車輛充電系統**: 在電動車輛充電系統中,用于電池管理和充電控制,確保高效率和安全的電池充電過程。

- **工業控制**: 用于工業設備和控制系統中的功率開關和逆變器,以提供可靠的功率控制和管理。

AP15P10GJ-VB 的高性能特性和可靠性使其在多個應用場景中成為首選,特別是需要處理高電流和高功率的場合。

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