### 一、產品簡介

AP15TP1R0YT-VB是一款高性能的單P溝道MOSFET，采用DFN8 (3x3)封裝。它具備負高壓漏源電壓和良好的導通特性，非常適用于需要高效電力控制和保護的應用場景。其緊湊的封裝設計使其特別適合空間受限的電子設備，能夠在各種嚴苛的工作條件下提供可靠的電流控制和開關性能。

### 二、詳細參數說明

- **封裝類型**: DFN8 (3x3)
- **配置**: 單P溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: -200V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: -2V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 2400mΩ @ VGS = 4.5V
 - 2000mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: -3.6A
- **技術類型**: Trench

### 三、適用領域和模塊舉例

1. **電源保護**：AP15TP1R0YT-VB適用于各種電源保護電路，如電池管理系統和電源開關。其負高壓漏源電壓和低導通電阻特性能夠有效地控制電流和電壓，保護電子設備免受過電流和過電壓的損害。

2. **電動汽車充電樁**：在電動汽車充電樁的電源管理系統中，這款MOSFET可以用作功率開關控制器，確保高效穩定的電力傳輸和安全的充電過程。其高耐壓和穩定性使其成為電動汽車充電設備的理想選擇。

3. **工業自動化**：在工業控制系統中，AP15TP1R0YT-VB可用于各種需要負高壓控制和電源管理的應用，如PLC（可編程邏輯控制器）、工業變頻器和自動化機器人。其高電壓承受能力和低功耗特性有助于提高設備的穩定性和效率。

4. **LED照明驅動**：這款MOSFET還可以用于LED照明系統中的電流控制和驅動模塊。其穩定的開關特性和低損耗設計能夠提升LED照明系統的能效和壽命，適用于室內和室外的高亮度LED照明。

通過其高性能參數和廣泛的應用領域，AP15TP1R0YT-VB展示了在多種電子設備和系統中的重要性，特別適用于需要負高壓控制和穩定性的電力電子應用。