--- 產品參數 ---
- 封裝 TO252
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 1. 產品簡介:
AP18N20GH-VB 是一款單N溝道功率場效應管(Power MOSFET),采用TO252封裝。它具有高壓耐受能力(最大200V VDS)、低導通電阻(RDS(ON)最小為55mΩ@VGS=10V)、以及30A的漏極電流能力。采用Trench技術,這款器件專為高效能和高可靠性的功率控制應用設計,適用于多種高壓環境。
### 2. 參數說明:
- **型號:** AP18N20GH-VB
- **封裝:** TO252
- **配置:** 單N溝道
- **最大漏極-源極電壓(VDS):** 200V
- **最大柵極-源極電壓(VGS):** ±20V
- **閾值電壓(Vth):** 3V
- **導通電阻(RDS(ON)):** 55mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID):** 30A
- **技術:** Trench
### 3. 應用舉例:
AP18N20GH-VB 在以下領域和模塊中有廣泛應用:
- **電源轉換器:** 適用于高壓DC-DC變換器和AC-DC開關電源,提供高效能和穩定的功率轉換。
- **電動汽車:** 在電動汽車的電池管理系統(BMS)和電動驅動系統中,支持高壓和大電流應用。
- **工業控制:** 用于工業自動化設備和高功率馬達驅動電路中,保證設備的高效能和高可靠性。
- **光伏逆變器:** 在太陽能光伏發電系統中,支持逆變器的高效能轉換和高壓管理。
- **通信設備:** 在基站電源和大功率通信設備中,確保穩定的電源管理和高效能操作。
這些例子展示了 AP18N20GH-VB 在多個高功率應用中的廣泛應用,其優異的性能特性使其成為多種電子設備和系統中的理想選擇。
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