--- 產品參數 ---
- 封裝 SOT223
- 溝道 Single-P
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### AP2311GK-VB MOSFET 產品簡介
AP2311GK-VB是一款單P溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET),采用SOT223封裝。采用先進的Trench(溝槽)技術設計,具備低導通電阻和適中的電流處理能力,適合于低壓電源管理和開關應用。
### AP2311GK-VB MOSFET 詳細參數說明
- **封裝類型**: SOT223
- **配置**: 單P溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: -60V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: -1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 65mΩ @ VGS = 4.5V
- 55mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: -7A
- **技術**: Trench(溝槽)
### AP2311GK-VB MOSFET 應用領域和模塊示例
AP2311GK-VB適用于多種領域和模塊,主要包括但不限于:
1. **低壓電源管理**:
- 由于其低漏極-源極電壓和低導通電阻特性,AP2311GK-VB在低壓電源管理系統中具有廣泛應用,如便攜設備、消費電子產品和小功率電源適配器。
2. **電池管理和充放電控制**:
- 在電池管理系統中,該MOSFET可用于充放電控制、電池保護和電源開關單元,支持設備的高效能和長壽命。
3. **消費電子產品**:
- 在手機、平板電腦、數碼相機等消費電子產品的電源管理和開關電路中,AP2311GK-VB可以有效控制電流和優化電池使用時間。
4. **車載電子**:
- 在汽車電子領域,特別是在車載電源適配器、車內電子設備和車載充電器中,該器件可以用于電源開關和電池管理,提升汽車電子設備的性能和穩定性。
### 總結
AP2311GK-VB MOSFET因其優異的低壓電源管理特性和適中的功率處理能力,在消費電子、低壓電源適配器和車載電子等多個領域中具有廣泛的應用前景。其設計上的優勢使其能夠有效地提升設備的電能轉換效率和系統的可靠性。
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