--- 產品參數 ---
- 封裝 TO220F
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
AP2762I-H-HF-VB是一款單N溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管(N-Channel MOSFET),采用TO220F封裝,適用于高壓應用。該型號晶體管具有高電壓耐受能力和穩定的性能特性,適合于各種要求嚴格的電源控制和開關應用。
### 詳細參數說明
- **型號**:AP2762I-H-HF-VB
- **封裝**:TO220F
- **配置**:單N溝道
- **漏源極電壓(VDS)**:700V
- **柵源極電壓(VGS)**:30V(±V)
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V
- **導通電阻(RDS(ON))**:1100mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流(ID)**:5A
- **技術**:SJ_Multi-EPI(多重外延結構)
### 應用領域和模塊示例
AP2762I-H-HF-VB MOSFET適用于許多需要高電壓和穩定性能的應用場合,以下是幾個具體的應用示例:
1. **電源逆變器**:
在工業電源和太陽能逆變器中,AP2762I-H-HF-VB可用于直流到交流的電能轉換過程中,提供穩定的功率轉換和高效的能源利用。
2. **電動車充電器**:
作為電動車充電系統中的關鍵部件,該型號MOSFET能夠處理高電壓和大電流,確保充電效率和安全性。
3. **高壓電源管理**:
在工業自動化和高壓電源系統中,AP2762I-H-HF-VB用于電源管理和開關控制,提供可靠的電源穩定性和效率。
4. **醫療設備**:
用于醫療設備中的電源控制和驅動器件,保證設備運行的穩定性和可靠性,滿足醫療設備的嚴格要求。
5. **電動工具**:
在高性能電動工具中,AP2762I-H-HF-VB可以用作電機驅動控制器,實現高效能量轉換和可靠的工具操作。
AP2762I-H-HF-VB因其高電壓承受能力、低導通電阻和穩定的性能而被廣泛應用于各種工業和消費電子設備中,是電源管理和高壓控制領域中的理想選擇。
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