--- 產品參數 ---
- 封裝 SOP8
- 溝道 Dual-N+N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
AP4224LGM-VB是一款高性能雙N溝道MOSFET,采用SOP8封裝。該器件具有低導通電阻和高漏極電流處理能力,專為各種高效能量管理和開關控制應用設計,適合用于需要緊湊封裝和高性能的電子設備。
### 詳細參數說明
- **封裝形式**:SOP8
- **配置**:雙N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:20V
- **柵源電壓 (VGS)**:±12V
- **閾值電壓 (Vth)**:0.5~1.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 12mΩ @ VGS = 4.5V
- 9mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**:10A
- **技術**:Trench
### 應用領域和模塊舉例
1. **消費電子產品電源管理**:
AP4224LGM-VB非常適合用于筆記本電腦、平板電腦和智能手機等消費電子產品中的電源管理模塊。它可以作為DC-DC轉換器和負載開關的主要功率元件,確保電源的高效轉換和穩定輸出,提高設備的電池使用時間和整體性能。
2. **便攜式電源和移動設備**:
該MOSFET適用于便攜式電源和移動設備的電池管理系統。其低導通電阻和高電流處理能力有助于優化電池的充放電過程,延長電池壽命,并確保設備在高負載條件下的穩定運行。
3. **工業控制和自動化設備**:
在工業控制和自動化設備中,AP4224LGM-VB可以用于電源控制和驅動電路,如電機驅動器和傳感器接口。其高性能特性確保了設備在復雜環境下的可靠運行,適用于機器人控制、工業自動化和智能制造系統。
綜上所述,AP4224LGM-VB具備優異的電性能和高度可靠性,適用于多種需要高效能量管理和高電流處理能力的電子和電氣設備,為各種應用提供了穩定、高效的解決方案。
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