--- 產品參數 ---
- 封裝 SOP8
- 溝道 Dual-N+N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### AP4230GM-HF-VB 產品簡介
AP4230GM-HF-VB 是一款雙N溝道加N溝道MOSFET,封裝在SOP8中,采用溝槽技術制造。它具有良好的導通特性和高電流處理能力,非常適合需要高效能量轉換和功率管理的應用。
### AP4230GM-HF-VB 詳細參數說明
- **封裝類型**:SOP8
- **配置**:雙N+N溝道
- **擊穿電壓 (VDS)**:30V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 26mΩ @ VGS=4.5V
- 22mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:
- 6.8A(通道1)
- 6.0A(通道2)
- **技術**:溝槽(Trench)
### AP4230GM-HF-VB 應用領域及模塊
AP4230GM-HF-VB 適用于各種功率管理和電能轉換的應用場景,特別適合以下領域和模塊:
1. **直流-直流轉換器**:
- 在電源管理模塊中,AP4230GM-HF-VB 作為開關元件,可實現高效的直流-直流電壓轉換,提供穩定的輸出電壓,適用于便攜設備和電源適配器。
2. **電池管理系統**:
- 在電池管理系統中,這款MOSFET可以用于電池充放電控制電路,確保電池的安全充電和高效放電,適用于電動工具和便攜設備。
3. **消費電子設備**:
- 在筆記本電腦、平板電腦和其他消費電子設備中,AP4230GM-HF-VB 可以用于電源控制和負載開關,確保設備的高效運行和穩定性能。
4. **電動汽車電子**:
- 在電動汽車的車載充電器和電源管理系統中,這款MOSFET 可以用于功率轉換和能量分配,確保車輛電池的高效充電和能量管理。
通過其雙N溝道配置和優異的電氣特性,AP4230GM-HF-VB 成為各種需要高效能轉換和功率管理的應用中的理想選擇,為工程師提供了高性能和可靠性的解決方案。
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