--- 產品參數 ---
- 封裝 DIP8
- 溝道 Dual-N+P
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### AP4523GD-VB 產品簡介
AP4523GD-VB 是一款雙N+P溝道MOSFET,采用DIP8封裝和溝槽技術制造。該器件結合了N溝道和P溝道的優勢,適用于需要同時控制正負電壓的電路設計,提供低導通電阻和高電流處理能力。
### AP4523GD-VB 詳細參數說明
- **封裝類型**:DIP8
- **配置**:雙N+P溝道
- **擊穿電壓 (VDS)**:±30V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:
- N溝道:±1V
- P溝道:±1V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- N溝道:30mΩ @ VGS=4.5V,25mΩ @ VGS=10V
- P溝道:30mΩ @ VGS=4.5V,25mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:
- N溝道:7.2A
- P溝道:-5A
- **技術**:溝槽(Trench)
### AP4523GD-VB 應用領域及模塊
AP4523GD-VB 可以在以下領域和模塊中得到應用:
1. **電源管理**:
- 適用于需要同時控制正負電壓的開關電源、DC-DC轉換器和功率逆變器中。其雙N+P溝道結構能夠提供高效的電流控制和低導通電阻,實現高效能的電源管理和功率轉換。
2. **汽車電子**:
- 在汽車電子系統中,特別是電池管理系統、電動車輛的電動機驅動控制和車載電源管理中,AP4523GD-VB 可以提供可靠的電流開關和功率轉換,確保系統的穩定性和高效能。
3. **工業自動化**:
- 用于工業控制系統中的電動機驅動、電源逆變和功率控制。其高電流處理能力和低導通電阻使其適合于工業自動化設備的高效能電源管理和電機控制。
4. **通信設備**:
- 在通信基站和網絡設備的電源管理和功率分配中,AP4523GD-VB 可以提供可靠的電流開關和高效能的功率轉換,確保設備的穩定運行和節能設計。
5. **消費電子**:
- 在智能手機、平板電腦和筆記本電腦等消費電子設備的電源管理和電池保護電路中,其高效的電流控制和低功耗特性能夠提升設備的性能和續航能力。
通過其雙N+P溝道設計和優秀的電性能特點,AP4523GD-VB 適用于多種需要高效能、高可靠性和高電流處理能力的電子和電氣應用領域。
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