--- 產品參數 ---
- 封裝 TO252-4L
- 溝道 Common Drain-N+P
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
AP4529GH-VB是一款Common Drain雙N+P溝道MOSFET,采用Trench技術制造,適用于需要高功率和高效能的電路設計。其TO252-4L封裝結構能夠有效管理熱量,同時提供優良的電氣性能,適合于工業和消費電子應用。
### 詳細參數說明
- **型號**: AP4529GH-VB
- **封裝形式**: TO252-4L
- **配置**: Common Drain雙N+P溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: ±40V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.8V (N溝道), -1.7V (P溝道)
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 14mΩ @ VGS=4.5V (N溝道)
- 14mΩ @ VGS=4.5V (P溝道)
- 16mΩ @ VGS=10V (N溝道)
- 16mΩ @ VGS=10V (P溝道)
- **漏極電流 (ID)**: ±50A
- **技術類型**: Trench
### 應用領域和模塊示例
1. **電源管理**:
AP4529GH-VB適用于高功率開關電源和DC-DC轉換器,能夠有效地控制電壓和電流,保證電路的穩定性和效率。
2. **電動工具**:
在電動工具的電機驅動系統中,特別是需要處理高功率和高效能的應用場景,如電動車輛的電機控制和電池管理系統。
3. **工業控制**:
用于工業自動化設備的電機驅動和電源管理,如PLC(可編程邏輯控制器)、電動機控制器和工業機器人。
4. **汽車電子**:
在汽車電子系統中,AP4529GH-VB可以應用于電動汽車的電機控制、電池管理和輔助驅動系統,確保系統的高效能和穩定性。
5. **通信設備**:
適用于通信基站的功率放大器和電源管理模塊,支持設備在高頻率和高功率運行時的穩定性和效率。
通過其優越的電氣特性和可靠的性能,AP4529GH-VB為多種工業和消費電子應用提供了可靠的功率管理解決方案。
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