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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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AP4957GM-VB一款Dual-P+P溝道SOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: AP4957GM-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOP8
  • 溝道 Dual-P+P

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介詳細(xì):

AP4957GM-VB 是一款高性能的雙P溝道MOSFET,采用Trench技術(shù)。其主要技術(shù)參數(shù)如下:

- **包裝類型:** SOP8
- **配置:** 雙P溝道
- **最大漏極-源極電壓(VDS):** -30V
- **最大柵極-源極電壓(VGS):** ±12V
- **閾值電壓(Vth):** -1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):**
 - 28mΩ @ VGS = 4.5V
 - 21mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID):** -8A

### 詳細(xì)參數(shù)說明:

1. **包裝類型和配置:** SOP8 封裝,適合于中等功率密度和高頻開關(guān)設(shè)計,結(jié)構(gòu)緊湊,便于PCB布局設(shè)計。

2. **電氣特性:**
  - **廣泛的電壓范圍:** 支持最大-30V的漏極-源極電壓(VDS)和±12V的柵極-源極電壓(VGS),適合于負(fù)電壓應(yīng)用和高頻率開關(guān)電路。
  - **低導(dǎo)通電阻:** 在不同的柵極-源極電壓下(4.5V和10V),分別為28mΩ和21mΩ,提供了低功耗和高效率的操作。
  - **負(fù)漏極電流:** 最大負(fù)漏極電流(ID)為-8A,適用于需要負(fù)載控制的電源管理和開關(guān)電路。

3. **技術(shù)優(yōu)勢:**
  - **Trench 技術(shù):** 提升了導(dǎo)通能力和熱穩(wěn)定性,適合于高頻率開關(guān)和負(fù)載控制的要求。

### 應(yīng)用示例:

AP4957GM-VB MOSFET適用于以下領(lǐng)域和模塊:

- **電源反極保護:** 在電路設(shè)計中,用于電源反極保護電路,防止誤連接時的電路損壞。
 
- **電池管理:** 在便攜式設(shè)備和電池供電系統(tǒng)中,作為電池管理電路的開關(guān)元件,實現(xiàn)對電池充放電過程的控制和保護。

- **電動工具和工業(yè)設(shè)備:** 用作負(fù)載開關(guān),控制電動工具和工業(yè)設(shè)備中的功率傳輸和操作。

- **汽車電子:** 在汽車電子系統(tǒng)中,如車燈控制和電動座椅調(diào)節(jié),提供可靠的開關(guān)功能和高效的電力管理。

這些示例展示了AP4957GM-VB在不同領(lǐng)域中的多功能使用,展現(xiàn)了其在現(xiàn)代電子設(shè)計中的重要性和應(yīng)用廣泛性。

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