### 1. 產品簡介

AP4961GM-VB是一款SOP8封裝的雙P溝道和P溝道場效應管（Dual-P+P-Channel MOSFET）。采用先進的Trench工藝制造，具有優異的電性能和穩定性，適合多種電子應用場合。

### 2. 詳細參數說明

- **包裝類型**: SOP8
- **結構類型**: 雙P溝道和P溝道（Dual-P+P-Channel）
- **耐壓（VDS）**: -20V
- **柵極-源極電壓（VGS）**: ±20V
- **閾值電壓（Vth）**: -1.2V
- **導通電阻（RDS(ON)）**:
 - 18mΩ @ VGS=4.5V
 - 16mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流（ID）**: -8.9A
- **技術特點**: Trench工藝

### 3. 應用示例

AP4961GM-VB適用于以下領域和模塊：

- **電源管理**: 可用于負載開關、電源逆變器和DC-DC轉換器，在需要處理負載開關和電流反向流的應用中，提供穩定的電能轉換和電路保護。

- **電池管理系統（BMS）**: 在電動車輛（EV）和電池組管理系統中，特別是需要負載管理和電流保護的場合。

- **電源逆變器**: 用于開關電源、逆變器和電源管理單元（PMU），能夠實現高效能的電能轉換和電壓調節。

- **汽車電子**: 在汽車電子系統中，如照明控制、車輛動力管理和電子穩定控制單元（ESC）的功率開關應用。

這些示例顯示，AP4961GM-VB因其雙P溝道和P溝道結構以及優異的電氣特性，能夠在多種電子設備中提供可靠的功率開關和電路保護功能，適用于對功率密度、效率和可靠性要求高的應用場合。