--- 產品參數 ---
- 封裝 SOP8
- 溝道 Dual-N+N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### AP5321GM-VB 產品簡介
AP5321GM-VB是一款高性能、低導通電阻的雙N+N通道MOSFET,封裝為SOP8。采用先進的Trench技術制造,設計用于高壓和中等電流的功率開關應用。
### 詳細的參數說明
- **型號**: AP5321GM-VB
- **封裝形式**: SOP8
- **配置**: 雙N+N通道
- **漏源電壓 (VDS)**: 100V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 63mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 5.8A
- **技術**: Trench
### 應用領域和模塊
AP5321GM-VB適用于以下多種領域和模塊,包括但不限于:
1. **電源管理**
- **電源開關**: 在工業電源、電力傳輸系統和電動車充電器中,用作高壓開關元件,實現高效的電能轉換和控制。
2. **電動車輛充電**
- **電動汽車和混合動力車**: 在電動車輛充電樁和充電站中,作為高壓開關以支持快速充電和高效能電能管理。
3. **工業自動化**
- **工業控制系統**: 用于工業自動化系統中的高壓電源管理和控制,如機器人、自動化生產線等。
4. **電力傳輸**
- **高壓直流輸電(HVDC)**: 在高壓直流輸電系統中,用于開關和調節電能流動,提高能源傳輸效率和穩定性。
AP5321GM-VB通過其高壓耐受能力、低導通電阻和穩定的性能特性,為各種需要高壓功率開關解決方案的應用提供了可靠的電子元件選擇。
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