--- 產品參數 ---
- 封裝 SOP8
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 1. 產品簡介詳細:
AP6680GM-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET,采用 SOP8 封裝,適用于中功率和低導通電阻的功率開關應用。該器件具有適中的 VDS(30V)和極低的 RDS(ON),采用先進的 Trench 技術,適合要求高效能和高可靠性的電源系統設計。
### 2. 詳細的參數說明:
- **封裝類型**: SOP8
- **通道類型**: 單 N 溝道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**: 30V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通時的靜態電阻 (RDS(ON))**:
- @ VGS = 4.5V: 11mΩ
- @ VGS = 10V: 8mΩ
- **漏極電流 (ID)**: 最大值 13A
- **技術特點**: Trench 結構,提供優異的開關特性和熱穩定性
### 3. 應用示例:
- **電源模塊**: 在低電壓和中功率的電源模塊中,AP6680GM-VB 可以用作開關和調節器件,支持高效率的 DC-DC 轉換和穩定的電壓輸出。
- **電動工具**: 在需要高效能和可靠性的電動工具中,該器件可以作為電機驅動的功率開關,確保設備的高性能和長期使用穩定性。
- **消費電子**: 在需要節能和高電流輸出的消費電子產品中,如電視機頂盒和音響系統的電源管理模塊,AP6680GM-VB 可以提供良好的功率轉換效率和熱管理能力。
這些示例展示了 AP6680GM-VB 在不同領域和模塊中的應用潛力,體現了其在中功率功率開關和電源管理中的重要性和實用性。
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