### 一、產品簡介
**AP80N30W-VB** 是一款單N-Channel MOSFET，采用TO3P封裝。它具有高擊穿電壓、適中的導通電阻和高電流承載能力，適用于需要處理高電壓和高功率的應用場合。
### 二、詳細參數說明
1. **封裝形式**：TO3P
2. **配置**：Single-N-Channel
3. **擊穿電壓（VDS）**：600V
4. **柵極電壓（VGS）**：30V（±V）
5. **閾值電壓（Vth）**：3.5V
6. **導通電阻（RDS(ON)）**：
- @VGS = 10V：60mΩ
7. **漏極電流（ID）**：47A
8. **技術**：SJ_Multi-EPI
### 三、應用領域和模塊示例
**AP80N30W-VB** 在以下領域和模塊中具有廣泛的應用：
1. **工業電源（Industrial Power Supplies）**：
- 用于高壓工業電源系統中的開關電源和DC-DC轉換器，支持工業設備的高效能運行和穩定電壓輸出。
2. **電動車充電樁（Electric Vehicle Charging Stations）**：
- 在電動車充電樁的電力傳輸和電池管理系統中，作為功率開關和電流控制的關鍵元件。
3. **太陽能逆變器（Solar Inverters）**：
- 在太陽能發電系統中，用于逆變器的輸出階段，支持將太陽能電能轉換為可用的交流電能。
4. **高壓電源模塊（High Voltage Power Modules）**：
- 作為高壓開關電源模塊的核心組件，用于通信基站、數據中心和工業設施中的電源管理和功率分配。
5. **電力輸配設備（Power Distribution Equipment）**：
- 在電力輸配系統中，用于開關電源和保護裝置，確保電力輸送的穩定性和安全性。
**AP80N30W-VB** 的高擊穿電壓和低導通電阻使其成為處理高壓高功率應用的理想選擇，能夠提供可靠的性能和持久的耐用性。
