--- 產品參數 ---
- 封裝 TO3P
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 1. 產品簡介詳細:
AP88N30W-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET,采用 TO3P 封裝,主要設計用于高壓和高功率的應用場合。該器件采用了 SJ_Multi-EPI 技術,具有優異的耐壓能力和穩定性,適合于要求高電壓和高電流的功率開關電路設計。
### 2. 詳細的參數說明:
- **封裝類型**: TO3P
- **通道類型**: 單 N 溝道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**: 500V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通時的靜態電阻 (RDS(ON))**:
- @ VGS = 10V: 60mΩ
- **漏極電流 (ID)**: 最大值 47A
- **技術特點**: SJ_Multi-EPI 結構,提供高壓和高電流承載能力,適合用于工業電源、電動車輛充電樁、電源逆變器和其他要求高穩定性和高效能的應用場合。
### 3. 應用示例:
- **電動車輛充電樁**: AP88N30W-VB 可以作為電動車輛充電樁中的功率開關,用于控制充電過程中的電能轉換和保護電路,確保高效率和安全的充電操作。
- **工業電源**: 在工業設備和電源系統中,該器件可以用作高壓開關電路的主要元件,支持穩定的電能轉換和電力分配,適用于工廠自動化和機械設備。
- **電源逆變器**: 在太陽能逆變器和其他電源逆變器中,AP88N30W-VB 可以作為直流到交流的關鍵開關器件,提供高效的能量轉換和穩定的輸出電壓,適合用于可再生能源應用和電網連接系統。
- **醫療設備**: 在要求高穩定性和安全性的醫療設備中,如醫療成像設備和電子醫療設備中,該器件可以用作高壓電源開關,確保設備運行的穩定性和可靠性。
這些示例展示了 AP88N30W-VB 在多個領域中的適用性,顯示了其在高壓、高功率應用中的關鍵作用和實際應用場景。
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