--- 產品參數 ---
- 封裝 TSSOP8
- 溝道 Common Drain-N+N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### AP9926GEO-HF-VB MOSFET 產品簡介
AP9926GEO-HF-VB 是一款具有共源極的雙 N+N 溝道功率 MOSFET,適合于需要高效能量轉換和功率管理的應用場合。其采用先進的 Trench 技術制造,具有良好的導通特性和低導通電阻,適合在多種電子設備中使用。
### AP9926GEO-HF-VB 詳細參數說明
- **封裝類型**:TSSOP8
- **配置**:共源極雙 N+N 溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**:20V
- **柵源極電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:0.5~1.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 32mΩ @ VGS=2.5V
- 22mΩ @ VGS=4.5V
- **漏極電流 (ID)**:6.6A
- **技術**:Trench
### 應用領域和模塊
AP9926GEO-HF-VB 可以廣泛應用于以下領域和模塊:
1. **電源管理和供電系統**:在電源模塊、DC-DC 轉換器和穩壓電源中,AP9926GEO-HF-VB 可以用作高效能量轉換和電源管理的功率開關元件,確保穩定的電壓輸出和效率。
2. **電動工具和電動車輛**:在電動工具、電動車輛和電動自行車的電機驅動系統中,該 MOSFET 可以提供高效的電機控制和動力輸出,延長電池使用時間并提升性能。
3. **消費電子**:在筆記本電腦、平板電腦和智能手機等便攜式設備中,AP9926GEO-HF-VB 可以用于電池管理和功率控制,提供穩定的電源管理和長續航能力。
4. **工業控制和自動化**:在工業自動化控制系統、機器人技術和自動化設備中,該型號的 MOSFET 可以用于執行器控制和電機驅動,實現精確的運動控制和高效的能量轉換。
綜上所述,AP9926GEO-HF-VB 適用于多種需要高效能量轉換和功率控制的應用場合,為各類電子設備提供可靠的功率管理解決方案。
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