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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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APM9938KC-TRL-VB一款Dual-N+P溝道SOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: APM9938KC-TRL-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOP8
  • 溝道 Dual-N+P

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、APM9938KC-TRL-VB 產(chǎn)品簡介

APM9938KC-TRL-VB 是一款高性能的雙N+P溝道MOSFET,采用Trench技術(shù)制造,封裝形式為SOP8。這款器件的設(shè)計包括一個N溝道和一個P溝道MOSFET,具有±30V的漏源電壓 (VDS) 和±20V的柵源電壓 (VGS)。N溝道部分提供了高達(dá)10A的連續(xù)漏電流,而P溝道部分提供了高達(dá)-8A的連續(xù)漏電流。其閾值電壓分別為1.8V(N溝道)和-1.7V(P溝道),提供低導(dǎo)通電阻,支持高效能開關(guān)操作。該MOSFET特別適用于各種需要雙極性開關(guān)的電源管理和開關(guān)應(yīng)用。

### 二、APM9938KC-TRL-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**:SOP8
- **配置**:雙N+P溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:±30V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:
 - N溝道:1.8V
 - P溝道:-1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - N溝道:
   - @ VGS = 4.5V:13mΩ
   - @ VGS = 10V:11mΩ
 - P溝道:
   - @ VGS = 4.5V:28mΩ
   - @ VGS = 10V:21mΩ
- **連續(xù)漏電流 (ID)**:
 - N溝道:10A
 - P溝道:-8A
- **技術(shù)**:Trench

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域及模塊舉例

APM9938KC-TRL-VB 的雙N+P溝道設(shè)計和高效能特性使其在多個應(yīng)用領(lǐng)域中表現(xiàn)出色:

1. **電源管理**:
  - **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**:在降壓和升壓轉(zhuǎn)換器中,雙N+P溝道MOSFET提供高效的開關(guān)控制,能夠優(yōu)化電源轉(zhuǎn)換效率并減少功耗。
  - **電源開關(guān)**:用于電源管理模塊中,通過雙極性開關(guān)實現(xiàn)高效的電源切換,提升系統(tǒng)的整體性能和穩(wěn)定性。

2. **消費(fèi)電子**:
  - **智能手機(jī)和平板電腦**:在這些設(shè)備的電源管理系統(tǒng)中,利用雙N+P溝道MOSFET的高效性能來實現(xiàn)電源的高效開關(guān)和負(fù)載控制。
  - **可穿戴設(shè)備**:如智能手表和健康監(jiān)測設(shè)備,提供高效的電源管理和電路保護(hù),確保設(shè)備的長期穩(wěn)定運(yùn)行。

3. **汽車電子**:
  - **車載電源管理**:在汽車的電源管理系統(tǒng)中,雙N+P溝道MOSFET提供高效的電流控制和開關(guān)性能,確保車載電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性和安全性。
  - **電動驅(qū)動系統(tǒng)**:適用于電動車的電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)中,支持高電流負(fù)載和高效的開關(guān)操作,提升電動驅(qū)動系統(tǒng)的性能和可靠性。

4. **工業(yè)控制**:
  - **電機(jī)驅(qū)動**:在工業(yè)自動化設(shè)備中,如電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng),提供高效的開關(guān)控制和負(fù)載管理,支持大電流應(yīng)用。
  - **功率開關(guān)**:用于高功率開關(guān)控制,能夠高效管理大電流負(fù)載,確保系統(tǒng)穩(wěn)定和安全。

APM9938KC-TRL-VB 的高電流能力、低導(dǎo)通電阻以及雙N+P溝道設(shè)計,使其成為多種高效能開關(guān)應(yīng)用中的理想選擇。

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