--- 產品參數 ---
- 封裝 TO220
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
AUF1010EZ-VB 是一種單 N 溝道 MOSFET,封裝在 TO220 外殼中。該器件采用 Trench 技術制造,專為高電流和中等電壓應用設計。其低導通電阻和高電流承載能力使其在處理高功率和高效能量管理的應用中表現出色。AUF1010EZ-VB 適合用于需要高電流和低導通電阻的各種電子系統和模塊,確保高效的電源管理和穩定的開關性能。
### 詳細參數說明
- **封裝類型**:TO220
- **配置**:單通道(N溝道)
- **漏源電壓 (VDS)**:60V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- VGS = 10V: 5mΩ
- **漏極電流 (ID)**:120A
- **技術**:Trench
### 應用領域和模塊示例
1. **電源管理**:
- AUF1010EZ-VB 在電源管理系統中表現優異,如高功率 DC-DC 轉換器和開關電源。其低導通電阻和高電流能力使其能夠處理高功率電源,提供高效能量轉換和穩定的電源輸出,適合用于需要高電流和低功率損耗的應用場合。
2. **高功率負載開關**:
- 在高功率負載開關應用中,該 MOSFET 能夠可靠地控制大電流負載。其低導通電阻減少了開關過程中的功率損耗,適合用于需要高電流開關控制的系統,如工業設備和電力控制系統。
3. **電機驅動**:
- AUF1010EZ-VB 適用于電機驅動應用,特別是在高電流電機驅動系統中。其高電流承載能力和低導通電阻確保了電機的高效能量傳輸和穩定運行,廣泛應用于工業電機驅動和電動車輛電機控制。
4. **功率逆變器**:
- 在功率逆變器中,該 MOSFET 的高電流能力和低 RDS(ON) 使其成為理想選擇。它能夠處理逆變器中的高功率轉換,保證逆變器系統在高電流條件下的可靠性和高效性,適用于太陽能逆變器和其他功率逆變器應用。
AUF1010EZ-VB 的高電流承載能力和低導通電阻,使其在高功率應用中非常實用,特別是在需要高效能量管理和高效開關性能的場合。
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