--- 產品參數 ---
- 封裝 TO220F
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
BRF4N60-VB 是一款高壓 N-Channel MOSFET,封裝為 TO220F。它適用于高電壓和高電流應用。具有 650V 的漏源電壓 (VDS) 和 4A 的連續漏電流 (ID),適合用于開關電源和高壓電路。
### 詳細參數說明
- **型號**: BRF4N60-VB
- **封裝**: TO220F
- **類型**: 單 N-Channel
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **門檻電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 2560 mΩ @ VGS = 10V
- **連續漏電流 (ID)**: 4A
- **技術**: 平面型
### 適用領域和模塊
BRF4N60-VB 適用于:
1. **開關電源**:由于其高 VDS 和低 RDS(ON),適合用于電源開關。
2. **電機驅動**:能處理較高電壓和電流,適合電機控制電路。
3. **高壓開關**:用于高壓開關電路,如逆變器和電源適配器。
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