**產(chǎn)品簡介：**
BRF6N60-VB 是一款高壓 N-Channel MOSFET，封裝為 TO220F，適用于高電壓、大電流的開關(guān)應(yīng)用。其 VDS（漏極-源極最大電壓）為 650V，最大柵源極電壓 VGS 為 ±30V，漏極電流 ID 達 7A。其 RDS(ON) 為 1100mΩ（在 VGS=10V 時），采用平面型工藝技術(shù)，適合各種高電壓功率開關(guān)電路。

**詳細(xì)參數(shù)說明：**
- **封裝**: TO220F
- **類型**: 單極性 N-Channel MOSFET
- **漏源極電壓（VDS）**: 650V
- **柵源極電壓（VGS）**: ±30V
- **閾值電壓（Vth）**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）**: 1100mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流（ID）**: 7A
- **技術(shù)**: 平面型工藝

**應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例：**
1. **電源管理模塊**：在高壓電源開關(guān)和逆變器中，BRF6N60-VB 由于其高耐壓和大電流能力，能夠提供穩(wěn)定的開關(guān)性能，保障電源系統(tǒng)的可靠性。
2. **電機驅(qū)動電路**：在電動機控制和驅(qū)動電路中，此 MOSFET 可以有效地處理高電壓和大電流負(fù)載，提高驅(qū)動系統(tǒng)的效率。
3. **照明控制系統(tǒng)**：在LED照明或高功率燈具的控制系統(tǒng)中，該 MOSFET 可用于調(diào)節(jié)光源的開關(guān)狀態(tài)，支持高功率操作。