### 產品簡介

**BRI1N60-VB** 是一款單極性N溝道功率MOSFET，采用TO251封裝，適用于高電壓應用。該MOSFET具有650V的漏源電壓（VDS），并支持最大±30V的柵極源電壓（VGS）。它的閾值電壓（Vth）為3.5V，具有較低的導通電阻4300mΩ（VGS=10V）和最大漏電流2A。MOSFET采用平面技術，適合高壓開關電源和功率控制應用。

### 詳細參數說明

- **型號**: BRI1N60-VB
- **封裝**: TO251
- **配置**: 單極性N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵極源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 4300mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流 (ID)**: 2A
- **技術**: 平面技術

### 適用領域和模塊

**BRI1N60-VB** 功率MOSFET 主要適用于以下領域和模塊：

1. **電源管理**：在高壓開關電源中用作開關元件，確保高效能量轉換和降低功率損耗。
  
2. **功率控制**：在各種電機驅動和功率調節應用中，作為開關元件以實現高效控制和穩定性。

3. **電力逆變器**：在光伏發電系統和UPS（不間斷電源）系統中，用于高壓直流到交流的轉換。

4. **電池管理系統**：用于電池保護和管理，尤其是在需要高電壓耐受的應用中，確保系統的可靠性和安全性。